مرجـع دانـش پارس

نوع فایل :PDF

تعداد صفحات :9

سال انتشار :1395

چکیده

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی 23 نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحیو با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر، با لوله ها و کایرالیتی مختلف به همراه منبع تغذیه 9.0 ولتیاستفاده شده است. تعداد لوله های در نظر گرفته شده به ترتیب برای ترانزیستور اول 23 تایی، برای ترانزیستور دوم 21 تایی، برای ترانزیستور سوم 21 تایی و برای ترانزیستور چهارم 2 تایی می باشد، همچنین بردار کایرالیتی برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی را دو مقدار پیش فرض ) 9و 20 ( و ) 9و 21 ( در نظر گرفته ایم. نتایج شبیه سازی برای مدار با لوله های مختلف و7.. کایرالیتی ) 9و 20 ( بهره ماکزیمم 1dbΩ ، پهنای باند 9-21.7GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZ مقدار 269.7Ω ، توان مصرفی 16.0μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ . ، مقدار 0.2nA و برای مدار با لوله های مختلف و کایرالیتی ) 9و 21 ( بهره ماکزیمم 76.2dbΩ ، پهنای باند 9-29.27 GHZ ، امپدانس ورودی در فرکانس 9-2999MHZمقدار 312.0Ω ، توان مصرفی 13.2μW و جریان نویز در فرکانس 2GHZ ، مقدار 61.01nA را نشان می دهد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی از لحاظ توان مصرفی، پهنای باند، امپدانس ورودی، بهره برای یک گیرنده مخابرات نوری بسیار مناسب است

واژگان کلیدی

تقویت کننده امپدانس انتقالی، ترانزیستور نانو لوله کربنی، گیرنده مخابرات نوری